کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553477 | 1513229 | 2014 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study and modeling of the breakdown voltage in semi insulating GaAs P+N, PN+, P+N+ junctions diodes presenting deep centers traps
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 72, August 2014, Pages 352-369
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 72, August 2014, Pages 352-369
نویسندگان
A. Resfa, Brahimi R. Menezla, Mustapha Bougueneya,