کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1553477 1513229 2014 18 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study and modeling of the breakdown voltage in semi insulating GaAs P+N, PN+, P+N+ junctions diodes presenting deep centers traps
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Study and modeling of the breakdown voltage in semi insulating GaAs P+N, PN+, P+N+ junctions diodes presenting deep centers traps
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 72, August 2014, Pages 352-369
نویسندگان
, , ,