کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553509 | 1513229 | 2014 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrically-activated source extension graphene nanoribbon field effect transistor: Novel attributes and design considerations for suppressing short channel effects
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی گرافنی روی الکتریسیته فعال: ویژگی های رمان و ملاحظات طراحی برای سرکوب اثرات کانال کوتاه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی گرافن در اثر الکتریکی فعال شامل یک گام اضافی در نمای بالقوه ناحیه منبع است که تونل زنی باند به باند را کاهش می دهد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
Electrically-activated source extension graphene nanoribbon field effect transistor includes an additional step at potential profile of source region which reduces band to band tunneling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 72, August 2014, Pages 305-318
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 72, August 2014, Pages 305-318
نویسندگان
Ali Naderi, Parviz Keshavarzi,