کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1553509 1513229 2014 14 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrically-activated source extension graphene nanoribbon field effect transistor: Novel attributes and design considerations for suppressing short channel effects
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی گرافنی روی الکتریسیته فعال: ویژگی های رمان و ملاحظات طراحی برای سرکوب اثرات کانال کوتاه
ترجمه چکیده
ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی گرافن در اثر الکتریکی فعال شامل یک گام اضافی در نمای بالقوه ناحیه منبع است که تونل زنی باند به باند را کاهش می دهد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
Electrically-activated source extension graphene nanoribbon field effect transistor includes an additional step at potential profile of source region which reduces band to band tunneling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 72, August 2014, Pages 305-318
نویسندگان
, ,