کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553523 | 1513232 | 2014 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Laser-dressed donor states in a CdS/SiO2 spherical nanodot under applied electric fields
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Intense laser field effects on the impurity states in a CdS/SiO2 quantum dot under applied electric fields are studied within the effective mass approximation by using a finite difference method. We have followed the Floquet method to take into account the dressing effect on the confinement potential and on the electrostatic interaction between the electron and the impurity ion. A significant blue shift is obtained for the subband and impurity levels when an intense, non-resonant, laser field radiation is applied. We found that the variation of the donor energy versus the laser field parameter depends on the impurity position and can be adjusted by the external electric field. For on-center donors, a shift of the polarizability peak position toward the lower values of the electric field when the laser intensity increases is predicted.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 69, May 2014, Pages 65-75
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 69, May 2014, Pages 65-75
نویسندگان
E.C. Niculescu, M. Cristea, A. Radu,