کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1553854 1513248 2013 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
I-V characteristics of two-dimensional nanodot-array single electron transistors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
I-V characteristics of two-dimensional nanodot-array single electron transistors
چکیده انگلیسی
► A two-dimensional nanodot-array single-electron transistor (2DA-SET) analytical current-voltage model is proposed. ► Simulations show that by a 2DA-SET, it is possible to have Single electron Transistor in higher temperature. ► Self island capacitance and inter-dot spacing variation have small effects on blockade regime of 2DA-SET.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 53, January 2013, Pages 1-8
نویسندگان
, , , , ,