کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553854 | 1513248 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
I-V characteristics of two-dimensional nanodot-array single electron transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠A two-dimensional nanodot-array single-electron transistor (2DA-SET) analytical current-voltage model is proposed. ⺠Simulations show that by a 2DA-SET, it is possible to have Single electron Transistor in higher temperature. ⺠Self island capacitance and inter-dot spacing variation have small effects on blockade regime of 2DA-SET.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 53, January 2013, Pages 1-8
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 53, January 2013, Pages 1-8
نویسندگان
Hamed Mehrara, Alireza Erfanian, Mahdi Khaje, Mohammad Zahedinejad, Farshad Rezvani,