کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553920 | 998762 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling interdiffusion in semiconductor distributed Bragg reflectors: An analytical approach
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modeling interdiffusion in semiconductor distributed Bragg reflectors: An analytical approach Modeling interdiffusion in semiconductor distributed Bragg reflectors: An analytical approach](/preview/png/1553920.png)
چکیده انگلیسی
⺠Interdiffusion in DBR has been modeled using the CMT. ⺠Important DBR parameters are calculated analytically. ⺠The results compared very well with those obtained by TMM.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 5, November 2012, Pages 913-920
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 5, November 2012, Pages 913-920
نویسندگان
O.M. Khreis,