کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1553944 998763 2012 12 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electric field distribution in biased GaAs microstructures with field-pinning layers
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electric field distribution in biased GaAs microstructures with field-pinning layers
چکیده انگلیسی
► Simulations of the electric field distribution in microstructures including field-pinning layers. ► Propagating Gunn domains are suppressed, but spatiotemporal inhomogeneities are still present. ► Fermi level alignment at heterojunctions is strongly temperature dependent.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 6, December 2012, Pages 1143-1154
نویسندگان
, , , ,