کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553944 | 998763 | 2012 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electric field distribution in biased GaAs microstructures with field-pinning layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electric field distribution in biased GaAs microstructures with field-pinning layers Electric field distribution in biased GaAs microstructures with field-pinning layers](/preview/png/1553944.png)
چکیده انگلیسی
⺠Simulations of the electric field distribution in microstructures including field-pinning layers. ⺠Propagating Gunn domains are suppressed, but spatiotemporal inhomogeneities are still present. ⺠Fermi level alignment at heterojunctions is strongly temperature dependent.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 6, December 2012, Pages 1143-1154
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 6, December 2012, Pages 1143-1154
نویسندگان
Jan C. Schmidt, Alvydas Lisauskas, Hartmut G. Roskos, Nataliya V. Demarina,