کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554043 | 998766 | 2012 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
I-V characterization of a quantum well infrared photodetector with stepped and graded barriers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Zero-bias activation energy found from temperature dependent I-V measurements. ⺠Ground state energies and conduction band discontinuities were estimated. ⺠Ground states calculated by transfer matrix technique. ⺠Ground state lowering due to electron-electron interaction considered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 3, September 2012, Pages 585-593
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 3, September 2012, Pages 585-593
نویسندگان
F. Nutku, A. Erol, M. Gunes, L.B. Buklu, Y. Ergun, M.C. Arikan,