| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 1554163 | 998772 | 2012 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Excitations in doped quantum dot insisted by discontinuous reversals of static electric field: Interplay between pulse and dopant site
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠The excitation profile of quantum dot subject to discontinuously reversing static electric field has been investigated. ⺠The quantum dot is doped with a repulsive Gaussian impurity. ⺠The impurity location and the number of pulses delicately modulate the excitation profile. ⺠Maximization and minimization in the excitation rate have been observed.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 51, Issue 1, January 2012, Pages 163-176
											Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 51, Issue 1, January 2012, Pages 163-176
نویسندگان
												Nirmal Kumar Datta, Subhasree Ghosh, Manas Ghosh,