کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554249 | 998778 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surfactant effects of indium on cracking in AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown via metal organic vapor phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Surfactant effects of indium on cracking in AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown via metal organic vapor phase epitaxy Surfactant effects of indium on cracking in AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown via metal organic vapor phase epitaxy](/preview/png/1554249.png)
چکیده انگلیسی
⺠Investigated surfactant effects of indium on AlN/GaN distributed Bragg reflectors. ⺠Image processing techniques were employed to quantify the amount of cracking. ⺠Under optimal conditions, indium can be used to reduce the cracking by a factor of two.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 49, Issue 1, January 2011, Pages 52-59
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 49, Issue 1, January 2011, Pages 52-59
نویسندگان
L.E. Rodak, C.M. Miller, D. Korakakis,