کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554353 | 1513250 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Island and wetting-layer intermixing in the Ge/Si(001) system upon capping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper we present an atomic force microscopy and X-ray photoemission spectroscopy study of the composition and shape evolution of self-assembled Ge/Si(001) islands upon capping with Si. We found that the islands undergo a reverse Straski–Krastanov shape evolution, with a progressive Si-enrichment of both the wetting layer and the islands. We demonstrate that the island shape evolves at constant volume with silicon atom incorporation occurring in the absence of lateral diffusion of Ge and Si atoms from the wetting layer to the islands themselves.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issues 1–2, July–August 2009, Pages 328–332
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issues 1–2, July–August 2009, Pages 328–332
نویسندگان
M. De Seta, G. Capellini, F. Evangelisti,