کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554379 | 998783 | 2011 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A theoretical study of band structure properties for III-V nitrides quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We have investigated electronic properties of c-InGaN/AlInGaN. ⺠AlInGaN with appropriate Al and In can compensate the strain in InGaN QWs. ⺠Such results give new insights for III-nitride compounds based applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 50, Issue 4, October 2011, Pages 277-288
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 50, Issue 4, October 2011, Pages 277-288
نویسندگان
S. Ben Rejeb, A. Bhouri, M. Debbichi, J.-L. Lazzari, M. Said,