کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554430 | 998786 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of ternary ZnCdSe nanowires and the fabrication of ZnCdSe nanowire photodetectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth of ternary ZnCdSe nanowires and the fabrication of ZnCdSe nanowire photodetectors Growth of ternary ZnCdSe nanowires and the fabrication of ZnCdSe nanowire photodetectors](/preview/png/1554430.png)
چکیده انگلیسی
The authors report the growth of high density ternary ZnCdSe nanowires on an oxidized Si(100) substrate using molecular beam epitaxy and the fabrication of a ZnCdSe nanowire photodetector. It was found that the as-grown ZnCdSe nanowires exhibited a mixture of cubic zinc-blende and hexagonal wurtzite structures. It was also found that average length and width of the ZnCdSe nanowires were ∼1.8 μm and ∼42.7 nm, respectively. Furthermore, it was found that photocurrent to dark current contrast ratio was around 25 for the fabricated photodetector under 5 V applied bias.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 48, Issue 1, July 2010, Pages 50–57
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 48, Issue 1, July 2010, Pages 50–57
نویسندگان
S.J. Chang, C.H. Hsiao, B.W. Lan, S.C. Hung, B.R. Huang, S.J. Young, Y.C. Cheng, S.H. Chih,