کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554431 | 998786 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Equilibrium critical thickness for a wurtzite InGaN/GaN heterostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present a finite element model to simulate a combined strained InxGa1−xN/GaN heterostructure and an edge misfit dislocation on the basal {0001} slip plane, taking the anisotropic elasticity into account. The introduction of a misfit dislocation partially relaxes the misfit strain. The model directly gives the residual strain, which is the exact strain field stored in the system after relaxation. The critical thickness is then determined based on an overall energy minimization approach including the dislocation core contribution. Compared with the results from other methods and available experimental data, our approach is appropriate for describing the critical thickness of the wurtzite InGaN/GaN material system.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 48, Issue 1, July 2010, Pages 58–65
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 48, Issue 1, July 2010, Pages 58–65
نویسندگان
Han Ye, Pengfei Lu, Zhongyuan Yu, Zhihui Chen, Boyong Jia, Hao Feng, Yumin Liu,