کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554499 | 998790 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic properties of cubic ScGaAs and ScGaN ternaries and superlattices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The electronic properties of both ScxGa1âxAs and ScxGa1âxN ternary alloy and superlattice systems are investigated within the first-principles full-potential linear muffin-tin orbitals method (FPLMTO) in its atomic sphere approximation (ASA) using the technique of empty spheres, which allows an accurate treatment of the interstitial regions. The phase transition from the rocksalt (B1) to the zinc blende (B3) structure is investigated and the possibility of zinc blende/zinc blende GaN/ScxGa1âxN and GaAs/ScxGa1âxAs superlattices is expected. Wide and direct gaps are found to be possible in these systems, predicting them as good candidates for optoelectronic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 47, Issue 2, February 2010, Pages 361-368
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 47, Issue 2, February 2010, Pages 361-368
نویسندگان
L. Boudaoud, W. Adli, R. Mecheref, Nadir Sekkal, F. Tair, B. Amrani, S. Louhibi, A. Tebboune,