کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554536 | 998793 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pressure effects on the donor binding energy in zinc-blende InGaN/GaN quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Based on the effective-mass approximation, the hydrostatic pressure effects on the donor binding energy of the hydrogenic impurity in zinc-blende (ZB) InGaN/GaN quantum dot (QD) are investigated by means of a variational procedure. Numerical results show that the donor binding energy increases when the hydrostatic pressure increases for any impurity position and QD structure parameter. Moreover, it is found that the hydrostatic pressure has a remarkable influence on the donor binding energy of the hydrogenic impurity located at the vicinity of dot center in ZB InGaN/GaN QD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issue 6, December 2009, Pages 840–845
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issue 6, December 2009, Pages 840–845
نویسندگان
Congxin Xia, Tianxing Wang, Shuyi Wei,