کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554555 | 998794 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic simulation of the dynamic properties for a double period structure with 90° partial dislocation in Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The motion sequences of kinks and RD of a DP structure were obtained. ⺠The activation energies of short and long dislocation segments were calculated. ⺠It is found that the experimental results may be between these two values.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 50, Issue 2, August 2011, Pages 157-163
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 50, Issue 2, August 2011, Pages 157-163
نویسندگان
Chao-ying Wang, Zhen-qing Wang, Qing-yuan Meng, Chen-liang Li, Hong-wei Zheng,