کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554581 | 1513251 | 2009 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pulsed photo-conductivity and carrier recombination lifetime spectroscopy of metal doped germanium
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
As the technique can be applied at room temperature, measurement conditions can be chosen which are relevant for device operation. The possibilities are illustrated for metal implanted and annealed Ge wafers. The obtained results are compared with those of capacitance-deep level transient spectroscopy analyses on similar samples, and with published results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 45, Issues 4â5, AprilâMay 2009, Pages 256-266
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 45, Issues 4â5, AprilâMay 2009, Pages 256-266
نویسندگان
E. Gaubas, A. Uleckas, J. Vanhellemont,