کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554755 | 998805 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogenic impurity states in wurtzite GaN/AlGaN coupled quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The ground-state binding energy of a hydrogenic donor impurity in wurtzite (WZ) GaN/AlGaN coupled quantum dots (QDs) is calculated by means of a variational method, considering the strong built-in electric fields caused by the piezoelectricity and spontaneous polarizations. The strong built-in electric fields induce an asymmetrical distribution of the ground-state binding energy with respect to the center of the coupled QDs. If the impurity is located at the low dot, the ground-state binding energy is insensitive to the interdot barrier width of WZ GaN/AlGaN coupled QDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 44, Issue 1, July 2008, Pages 121–126
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 44, Issue 1, July 2008, Pages 121–126
نویسندگان
Congxin Xia, Fengchun Jiang, Shuyi Wei,