کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554797 | 998807 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of laser intensity on the semiconductor–metal transition in a doped Quantum Well
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We demonstrate laser induced semiconductor–metal transition through an abrupt change in diamagnetic susceptibility of a donor at critical concentration in a GaAs/AlxGa1−xAs Quantum Well for finite barrier model in the effective mass approximation using variational principle. We have considered Anderson‘s localization due to the random distribution of impurities in our calculation. The nonparabolicity of the conduction band is also considered. Our results without laser field agree with the earlier theoretical results and also with the recent experimental results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issue 4, October 2009, Pages 710–714
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issue 4, October 2009, Pages 710–714
نویسندگان
A. Merwyn Jasper D Reuben, P. Nithiananthi, K. Jayakumar,