کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554863 | 1513253 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Picosecond timescale carrier dynamics of InAs quantum dots: The role of a continuum background
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Picosecond timescale carrier dynamics of InAs quantum dots: The role of a continuum background Picosecond timescale carrier dynamics of InAs quantum dots: The role of a continuum background](/preview/png/1554863.png)
چکیده انگلیسی
We have investigated the ultrafast carrier dynamics in Molecular Beam Epitaxy (MBE)-grown InAs/InGaAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 μm by means of time resolved photoluminescence upconversion measurements with a time resolution of about 200 fs. The detection energies scan the spectral region from the energy of the quantum dot excitonic transition up to the barrier layer absorption edge. We found, under high excitation intensity, that the intrinsic electronic states are populated mainly by carriers directly captured from the barrier.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 43, Issues 5â6, MayâJune 2008, Pages 445-448
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 43, Issues 5â6, MayâJune 2008, Pages 445-448
نویسندگان
G. Rainó, G. Visimberga, A. Salhi, M. Todaro, M. De Vittorio, A. Passaseo, R. Cingolani, M. De Giorgi,