کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554887 | 1513253 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Competition between carrier recombination and tunneling in quantum dots and rings under the action of electric fields
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In the presence of a stationary electric field applied in the growth direction tunneling of electrons out of the quantum dots can take place. This mechanism competes with the quantum confined Stark effect (QCSE) that produces an increase of the exciton lifetime by increasing the electric field, mainly due to a net decrease of the electron-hole wavefunction overlap. The electric field range where QCSE dominates over tunneling will be mainly determined by the size of the nanostructure along the vertical direction (height), as demonstrated in this work.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 43, Issues 5â6, MayâJune 2008, Pages 582-587
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 43, Issues 5â6, MayâJune 2008, Pages 582-587
نویسندگان
J. Bosch, B. Alén, J. MartÃnez-Pastor, D. Granados, J.M. GarcÃa, L. González,