کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555003 | 1513252 | 2008 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of Ge-nanocrystals in SiO2 matrix by magnetron sputtering and post-deposition thermal treatment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Formation of Ge-nanocrystals in SiO2 matrix by magnetron sputtering and post-deposition thermal treatment Formation of Ge-nanocrystals in SiO2 matrix by magnetron sputtering and post-deposition thermal treatment](/preview/png/1555003.png)
چکیده انگلیسی
The 2D GISAXS patterns, besides giving information on the layered structure, were used to reveal the onset of the synthesis of Ge QDs in SiO2 and to determine the average size and shape of QDs. It has been shown that the insertion of spacer SiO2 layers between (Ge+SiO2) layers transforms the 3D growth of Ge QDs into a preferentially 2D growth, within each 7Â nm thick (Ge+SiO2) layer. This resulted in a considerably smaller average size of Ge QDs in the layered films. The synthesis of well crystallized, moderately sized, spherical Ge QDs was achieved by post-deposition annealing in the 700-800Â âC range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 44, Issues 4â5, OctoberâNovember 2008, Pages 323-330
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 44, Issues 4â5, OctoberâNovember 2008, Pages 323-330
نویسندگان
U.V. Desnica, K. Salamon, M. Buljan, P. Dubcek, N. Radic, I.D. Desnica-Frankovic, Z. Siketic, I. Bogdanovic-Radovic, M. Ivanda, S. Bernstorff,