کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555079 | 998828 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electronic properties of GaAsBi
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The structural and electronic properties of the GaAs1−xBix ternary alloy are investigated by means of two first principles and full potential methods, the linear augmented plane waves (FPLAPW) method and a recent version of the full potential linear muffin-tin orbitals method (FPLMTO) which enables an accurate treatment of the interstitial regions. In particular, we have found that the maximal GaBi mole fraction xx for which GaBixAs1−x remains a semiconductor is probably around x=0.5x=0.5. The electronic properties of (GaAs)m/(GaBi)n quantum well superlattices (SLs) have also been calculated and it is found that such SLs are semiconductors when mm is larger or equal to nn.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 44, Issue 2, August 2008, Pages 223–229
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 44, Issue 2, August 2008, Pages 223–229
نویسندگان
H. Achour, S. Louhibi, B. Amrani, A. Tebboune, N. Sekkal,