کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555162 | 1513254 | 2007 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoinduced excess carrier dynamics in PLD-grown ZnO
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have already observed similar power-law behaviour in polycrystalline GaN films prepared by the same PLD reactor. The interpretation will consider the hypothesis of minority carrier capture and a model invoking thermalization in broad band tail distribution with delayed subsequent recombination during the decay.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 42, Issues 1â6, JulyâDecember 2007, Pages 270-277
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 42, Issues 1â6, JulyâDecember 2007, Pages 270-277
نویسندگان
P. Queiroz, R. Ayouchi, M. Niehus, E. Morgado, A. Fedorov, J. Martinho, F. Wuensch, M. Kunst, R. Schwarz,