کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555176 | 1513254 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of ZnO film thickness on the performance of organic light emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The electrical and optical properties of the ZnO layers and of the ITO/ZnO bilayers are investigated. We show that a ZnO layer of about 120Â nm is the best compromise to obtain simultaneously a high transmittance and conductivity. Moreover an X-ray diffraction analysis underscores that an amorphous ITO deposited on a polycrystalline ZnO could change into a polycrystalline ITO. The modifications of the ITO layer by a preliminary deposition of a 120Â nm thick ZnO underlayer enables us to decrease the threshold voltage of organic light emitting diodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 42, Issues 1â6, JulyâDecember 2007, Pages 357-360
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 42, Issues 1â6, JulyâDecember 2007, Pages 357-360
نویسندگان
B. Lucas, A. El Amrani, A. Moliton, M. Dilhan,