کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555258 | 1513257 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of crystalline gadolinium oxide on silicon carbide for high-KK application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and characterization of crystalline gadolinium oxide on silicon carbide for high-KK application Growth and characterization of crystalline gadolinium oxide on silicon carbide for high-KK application](/preview/png/1555258.png)
چکیده انگلیسی
We have investigated the growth and electrical properties of crystalline Gd2O3 grown on 6H-SiC(0001) substrates by molecular beam epitaxy. Initially, Gd2O3 islands with hexagonal structure were formed. Further growth resulted in the formation of flat layers in a mixture of [111]-oriented cubic bixbyite and monoclinic structure. The fabricated capacitors with 14 nm Gd2O3 exhibited suitable dielectric properties at room temperature; such as a dielectric constant of ε=22ε=22, a leakage current of 10−8 A/cm2@1 V and breakdown fields >4.3 MV/cm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issues 4–6, October–December 2006, Pages 551–556
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issues 4–6, October–December 2006, Pages 551–556
نویسندگان
A. Fissel, M. Czernohorsky, H.J. Osten,