کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555270 | 1513257 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ni–Al ohmic contact to p-type 4H-SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Investigations on Ni/Al alloys to form ohmic contacts to p-type 4H-SiC are presented in this paper. Different ratios of Ni/Al were examined. Rapid thermal annealing was performed in argon atmosphere at 400 ∘C for 1 min, followed by an annealing at 1000 ∘C for 2 min. In order to extract the specific contact resistance, TLM test structures were fabricated. A specific contact resistance of 3×10−5 Ω cm2 was obtained reproducibly on Al2+ implanted p-type layers, having a doping concentration of 1×1019 cm−3. The lowest specific contact resistance value measured amounts to 8×10−6 Ω cm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issues 4–6, October–December 2006, Pages 626–631
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issues 4–6, October–December 2006, Pages 626–631
نویسندگان
H. Vang, M. Lazar, P. Brosselard, C. Raynaud, P. Cremillieu, J.-L. Leclercq, J.-M. Bluet, S. Scharnholz, D. Planson,