کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555292 | 998841 | 2006 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
kâ
p calculations for double p-type δ-doped quantum wells in GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The hole subband structure in double p-type δ-doped quantum wells in GaAs is computed with the use of the 4Ã4  kâ
p Hamiltonian. The Thomas-Fermi-Dirac approach is implemented for the description of the valence band bending, and the hole states at the Brillouin zone center are calculated along its lines, within the effective mass approximation. The zone center eigenstates obtained are then used to diagonalize the kâ
p Hamiltonian for non-zero k. The hole subband structure is analyzed as a function of the impurity density and the distance between δ wells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issue 2, August 2006, Pages 100-112
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issue 2, August 2006, Pages 100-112
نویسندگان
Isaac RodrÃguez-Vargas, Miguel E. Mora-Ramos,