کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555344 | 1513258 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optoelectronic properties of SnO2 / TiO2 junctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Transparent, conductive SnO2 (FTO) films and colloidal TiO2 films deposited on these FTO films are investigated by means of contactless transient photoconductance measurements in the microwave frequency range (TRMC measurements). For the bare FTO-glass films excitation with 355 nm light pulses leads to appreciable TRMC signals indicating the semiconductor properties of the material. For TiO2 films on FTO-glass films, injection of excess electrons from TiO2 into FTO is observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 39, Issues 1â4, JanuaryâApril 2006, Pages 376-380
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 39, Issues 1â4, JanuaryâApril 2006, Pages 376-380
نویسندگان
M. Kunst, T. Moehl, F. Wünsch, H. Tributsch,