کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1616072 | 1516367 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of AlN nucleation layers on the growth of AlN films using high temperature hydride vapor phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effects of AlN nucleation layers on the growth of AlN films using high temperature hydride vapor phase epitaxy Effects of AlN nucleation layers on the growth of AlN films using high temperature hydride vapor phase epitaxy](/preview/png/1616072.png)
چکیده انگلیسی
⺠Growth of AlN Nucleation layers and its effect on high temperature AlN films quality were investigated. ⺠AlN nucleation layers stabilizes the epitaxial growth of AlN and improves the surface morphology of AlN films. ⺠Increasing growth temperature of AlN NLs as well as AlN films improves the structural quality and limits the formation of cracks.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 526, 15 June 2012, Pages 103-109
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 526, 15 June 2012, Pages 103-109
نویسندگان
M. Balaji, A. Claudel, V. Fellmann, I. Gélard, E. Blanquet, R. Boichot, A. Pierret, B. Attal-Trétout, A. Crisci, S. Coindeau, H. Roussel, D. Pique, K. Baskar, M. Pons,