کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1627527 | 1516456 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase diagram of the CdGa2Se4−Bi2Se3 system and growth of CdGa2Se4 single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The phase diagram of the CdGa2Se4−Bi2Se3 system was investigated using phase X-ray diffraction, differential-thermal analysis and metallography. The system is of the eutectic type, and the coordinates of the eutectic point are ∼86 mol.% Bi2Se3 and 929 K. The CdGa2Se4 crystals were grown by the solution-melt method. An optimum solvent concentration of 45 mol.% was selected according to the constructed phase diagram. The grown crystals were orange, with an energy gap of 2.35 eV as estimated from the absorption edge.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 417, Issues 1–2, 29 June 2006, Pages 127–130
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 417, Issues 1–2, 29 June 2006, Pages 127–130
نویسندگان
S.M. Sosovska, O.M. Yurchenko, Y.E. Romanyuk, I.D. Olekseyuk, O.V. Parasyuk,