کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1703575 1012384 2015 13 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anisotropic phase field solution for morphological evolution and migration of inclusions in piezoelectric films
ترجمه فارسی عنوان
راه حل میدان نانسیوتروپیک برای تکامل مورفولوژیکی و مهاجرت شامل در فیلمهای پیزوالکتریک
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
بر اساس یک مدل میدان فازی بی نظیر، تکامل مورفولوژیکی و مهاجرت ورودی ها در فیلم های پیزوالکتریک تحت بارهای مکانیکی و الکتریکی بررسی می شود. فیلد پارامتر سفارش به منظور مشخص کردن تکامل درج در فیلم پیزوالکتریک معرفی شده است، جایی که تکامل کانتور صفر پارامتر نظم در لایه رابط فاز بین فیلم و ماتریس شامل تغییر مورفولوژیکی و مهاجرت شامل محرک توسط بارهای مکانیکی و الکتریکی . نتایج نشان می دهد که تکامل مورفولوژی و مهاجرت درگیر شدن در فیلم پیزوالکتریک به طور عمده ناشی از گرادیان استرس طبیعی در لایه رابط فاز بین ورودی ها و فیلم پیزوالکتریک است و وقتی که فیلم پیزوالکتریک در یک مقاومت پایین تر ظاهر می شود، نیروی اضافی ناشی از الکترون الکترون باد) استفاده از فیلم پیزوالکتریک را ترویج مهاجرت از ورود به سمت جهت بالقوه بالقوه الکتریکی. رفتار نفوذ انحصاری از لایه رابط باعث ایجاد تقارن مورفولوژیکی ورودی به فیلم پیزوالکتریک تحت بارهای مختلف می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مکانیک محاسباتی
چکیده انگلیسی
Based on an anisotropic phase field model, the morphological evolution and migration of inclusions in piezoelectric films under mechanical and electric loads are investigated. An order parameter field is introduced to characterize the evolution of inclusion in piezoelectric film, where the zero contour evolution of order parameter in the phase interface layer between inclusion and matrix film tracks the morphological change and migration of the inclusion driven by coupled mechanical and electric loads. Results show that morphological evolution and migration of inclusion in piezoelectric film is mainly caused by normal stress gradient in the phase interface layer between inclusions and piezoelectric film, and when piezoelectric film appears in a lower resistivity, an additional drive force induced by electron field (electron wind) exerted the piezoelectric film promotes the migration of an inclusion toward the higher electric potential direction. Anisotropic diffusion behavior of interface layer causes asymmetrically morphological evolution of inclusion in piezoelectric film under different loads.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Mathematical Modelling - Volume 39, Issue 13, 1 July 2015, Pages 3745-3757
نویسندگان
, , ,