کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790086 | 1524411 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bulk lattice parameter and band gap of cubic InXGa1−XN (001) alloys on MgO (100) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
• Cubic InxGa1−xN.
• Bulk lattice parameter.
• Optical band gap.
• Molecular beam epitaxy.
InxGa1−xN (001) ternary alloys were grown on GaN/MgO (100) substrates in a plasma assisted molecular beam epitaxy system. We determined the in-plane [001] and in-growth [110] lattice parameters, as well as the bulk lattice parameter of the alloys for different In concentrations by high resolution X-ray diffraction. The In concentration was determined assuming Vegard׳s law for the alloy lattice parameter. The optical energy gap of InxGa1−xN has been determined by transmittance measurements from absorption edges for several In concentrations. Our results show that the alloys have a direct band gap for all In concentrations and a bowing parameter b=1.84.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 418, 15 May 2015, Pages 120–125
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 418, 15 May 2015, Pages 120–125
نویسندگان
V.D. Compeán García, I.E. Orozco Hinostroza, A. Escobosa Echavarría, E. López Luna, A.G. Rodríguez, M.A. Vidal,