کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790367 | 1524428 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of crystallinity of GaN grown on sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy using in situ X-ray diffraction monitoring method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, we investigated the application of a novel in situ X-ray diffraction (XRD) monitoring method to control GaN crystal growth using a low-temperature (LT)-deposited buffer layer. We found that this method is useful in controlling the annealing of the LT-buffer layer, which strongly depends on the crystallinity of GaN. Accordingly, if we employ in situ XRD grown on GaN using LT-buffer layer on sapphire substrate, the optimization of the annealing conditions will become easier because it would be possible to determine by only one growth procedure. Therefore, we expect that this method will serve as a new and helpful optimization tool for crystal growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 401, 1 September 2014, Pages 367–371
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 401, 1 September 2014, Pages 367–371
نویسندگان
Motoaki Iwaya, Taiji Yamamoto, Daiki Tanaka, Daisuke Iida, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki,