کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790764 | 1524451 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Plasma-assisted molecular beam epitaxy process combined with a liquid phase electroepitaxy, a novel method for the growth of GaN layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We have studied plasma-assisted electroepitaxy (PAEE). ⺠We have demonstrated continuous GaN layers by PAEE from liquid Ga melt. ⺠We have tried to use PAEE for the growth of InN layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 17-20
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 17-20
نویسندگان
S.V. Novikov, R.E.L. Powell, A.J. Kent, C.T. Foxon,