کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790795 | 1524451 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of GaDyN/GaN double barrierstructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠GaDyN/GaN double-barrier magnetic tunneling junctions (DB-MTJs) structures are grown by the MBE method. ⺠Ferromagnetism is confirmed at room temperature for the GaDyN quantum wells. ⺠It is found that the interlayer interaction exists between the GaDyN quantumwells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 137-140
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 137-140
نویسندگان
M. Sano, Y.K. Zhou, S. Emura, S. Hasegawa, H. Asahi,