کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1791730 1023619 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates
چکیده انگلیسی
► BaSi2 layers were grown epitaxially on Si(001), despite the large lattice mismatch. ► a-Axis-oriented BaSi2 layers were grown. ► The grain size of BaSi2 on Si(001) was found to be as large as 1 μm. ► The grain size of BaSi2 on Si(001) is much larger than that on Si(111).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 345, Issue 1, 15 April 2012, Pages 16-21
نویسندگان
, , , , , , ,