کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791730 | 1023619 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠BaSi2 layers were grown epitaxially on Si(001), despite the large lattice mismatch. ⺠a-Axis-oriented BaSi2 layers were grown. ⺠The grain size of BaSi2 on Si(001) was found to be as large as 1 μm. ⺠The grain size of BaSi2 on Si(001) is much larger than that on Si(111).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 345, Issue 1, 15 April 2012, Pages 16-21
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 345, Issue 1, 15 April 2012, Pages 16-21
نویسندگان
Katsuaki Toh, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Noriyuki Saito, Noriko Yoshizawa, Kaoru Toko, Takashi Suemasu,