کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791798 | 1023620 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Studies about wafer bow of freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Free-standing GaN wafers grown by hydride vapor phase epitaxy are typically concavely bowed. In situ and ex situ curvature measurements indicate that some strain developing at the very beginning of the epitaxial process or even in the template grown by metalorganic vapor phase epitaxy may be the origin of this bow. It can be only partly released by etching the defective back-side of the samples indicating that the strong dislocation density gradient is not the only reason for strain in free-standing GaN.
► Freestanding GaN HVPE layers are bowed.
► Reason: strain already present in template.
► Defect gradient is only partly responsible for the bow.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 235–238
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 235–238
نویسندگان
F. Lipski, M. Klein, X. Yao, F. Scholz,