| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1792088 | 1524476 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructural characterization of thick ZnTe epilayers grown on GaSb, InAs, InP and GaAs (1Â 0Â 0) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Highly coherent ZnTe/GaSb and ZnTe/InAs interfaces. ⺠Lomer edge dislocations at ZnTe/InP and ZnTe/GaAs interfaces. ⺠Residual interface strain estimated for ZnTe/InP and ZnTe/GaAs heterostructures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 330, Issue 1, 1 September 2011, Pages 30-34
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 330, Issue 1, 1 September 2011, Pages 30-34
نویسندگان
Lu Ouyang, J. Fan, S. Wang, X. Lu, Y.-H. Zhang, X. Liu, J.K. Furdyna, David J. Smith,