کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792441 | 1023645 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tuning the structural properties of InAs nanocrystals grown by molecular beam epitaxy on silicon dioxide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on InAs nanocrystals (nc-InAs) grown on silicon dioxide (SiO2) by solid-source molecular beam epitaxy. We show that the growth parameters influence the properties of the nc-InAs in terms of density, size, and crystallinity. The growth temperature influences mainly the density of the nc-InAs, whereas their size can be controlled by the number of deposited InAs monolayers. Using an adequate set of parameters, we show that the nc-InAs properties are tunable in a range where the crystal structure presents zero defects. These nc-InAs grown on SiO2 have high crystalline quality, making them perfectly suitable for advanced electronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 321, Issue 1, 15 April 2011, Pages 1-7
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 321, Issue 1, 15 April 2011, Pages 1-7
نویسندگان
Moïra Hocevar, Gilles Patriarche, Abdelkader Souifi, Michel Gendry,