دانلود مقالات ISI درباره A1 تخریب + ترجمه فارسی

Arsenic incorporation in GaN layers grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A1 تخریب; A1. Crystal morphology; A1. Desorption; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2019 سفارش ترجمه

Si impurity concentration in nominally undoped Al0.7Ga0.3N grown in a planetary MOVPE reactor

Keywords: A1 تخریب; A1. Impurities; A1. Desorption; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Increase in silicon film deposition rate in a SiHCl3-SiHx-H2 system

Keywords: A1 تخریب; A1. Surface processes; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial re-growth of CdTe, CdTe/CdMgTe and CdTe/CdZnTe double heterostructures on CdTe/InSb(1 0 0) substrates with As cap

Keywords: A1 تخریب; A1. Substrates; A1. Defects; A1. Desorption; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Indium incorporation dynamics in N-polar InAlN thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN substrates

Keywords: A1 تخریب; A1. Crystal morphology; A1. Desorption; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Electronic processes in adatom dynamics at epitaxial semiconductor surfaces studied using MBE-STM combined system

Keywords: A1 تخریب; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A1. Surfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Controlling indium incorporation in InGaN barriers with dilute hydrogen flows

Keywords: A1 تخریب; A1. Desorption; A1. Photoluminescence; A1. Surface kinetics; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Group III Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Control of GaN nanorod diameter by changing growth temperature during molecular-beam epitaxy

Keywords: A1 تخریب; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Enhancement of hydrogen uptake for Y and Gd films by thin Ni surface overlayers

Keywords: A1 تخریب; A1. Desorption; A1. Surface; B1. Yttrium compound; B1. Gadolinium compound; B2. Hydrogen storage materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth mechanisms in semipolar (202¯1) and nonpolar m  -plane (101¯0) AlGaN/GaN structures grown by PAMBE under N-rich conditions

Keywords: A1 تخریب; A1. Desorption; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring

Keywords: A1 تخریب; A1. Desorption; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Experimental study of the kinetically-limited decomposition of ZnGeAs2 and its role in determining optimal conditions for thin film growth

Keywords: A1 تخریب; A1. Kinetics; A1. Desorption; A1. Thermodynamics; A3. Thin film; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Smoothness and cleanliness of the GaAs (100) surface after thermal desorption of the native oxide for the synthesis of high mobility structures using molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تخریب; A1. Atomic force microscopy; A1. Desorption; A1. Roughening; A1. Secondary ion mass spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Reduction of oxygen impurity at GaN/β-Si3N4/Si interface via SiO2 to Ga2O conversion by exposing of Si surface under Ga flux

Keywords: A1 تخریب; A1. Desorption; A1. X-ray photoelectron spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Tuning the structural properties of InAs nanocrystals grown by molecular beam epitaxy on silicon dioxide

Keywords: A1 تخریب; A1. Nanocrystals; A1. Desorption; A1. Diffusion; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Silicon Dioxide; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

In situ anti-oxidation treatment in GaAs MOVPE by as desorption and passivation with AlP

Keywords: A1 تخریب; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low temperature Si homo-epitaxy by reduced pressure chemical vapor deposition using dichlorosilane, silane and trisilane

Keywords: A1 تخریب; A1. Crystal structure; A1. Desorption; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Flow modulation effect on N incorporation into GaAs(1−x)Nx films during chemical beam epitaxy growth

Keywords: A1 تخریب; A1. Desorption; A1. Adsorption; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V material; B3. Solar cells; 81.15.Hi; 84.60.Jt; 81.05.Ea;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of substrate bias on crystal structure and thermal stability of sputter-deposited ZnO films

Keywords: A1 تخریب; 61.10.Nz; 68.55.Ac; 68.55.JkA1. Crystal structure; A1. Desorption; A1. X-ray diffraction; A3. Physical vapor deposition process; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Low-temperature RPCVD of Si, SiGe alloy, and Si1−yCy films on Si substrates using trisilane (Silcore®)

Keywords: A1 تخریب; 68.55.−a; 81.15.Gh; 81.05.CyA1. Crystal structure; A1. Desorption; A1. Stress; A1. Surface morphology; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MOVPE growth of antimonide-containing alloy materials for long wavelength applications

Keywords: A1 تخریب; 07.60.Pb; 81.10.Bk; 82.33.TaA1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Growth models; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ab initio calculation for the decomposition process of GaN (0 0 0 1) and (0 0 0 1¯) surfaces

Keywords: A1 تخریب; 81.15.Kk; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 31.15.ArA1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Surface processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of thermal annealing ambient on Ga-doped ZnO thin films

Keywords: A1 تخریب; 68.55.Ln; 73.61.Ga; 79.60.−iA1. Adsorption; A1. Defects; A1. Desorption; A1. Doping; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth behavior of GaSb by metal–organic vapor-phase epitaxy

Keywords: A1 تخریب; 07.60.Pb; 81.10.Bk; 82.33.TaA1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Growth Models; A3. Metal–organic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Bismuth surfactant growth of the dilute nitride GaNxAs1−x

Keywords: A1 تخریب; 68.47.Fg; 68.43.Mn; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Desorption; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Surface modifications induced by bismuth on (0 0 1) GaAs surfaces

Keywords: A1 تخریب; 81.15.Gh; 78.47.+p; 78.40.-q; 68.65.+g; A1. Desorption; A1. Optical spectroscopy; A1. Surface structure; A3. Organometallic vapor phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Using optical reflectance to measure GaN nucleation layer decomposition kinetics

Keywords: A1 تخریب; 68.55.J; 81.05.D; 81.10.A; 82.30.L; A1. Desorption; A1. Decomposition; A1. Nucleation; A1. Optical reflectance; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Group III nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه