کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8151931 | 1524446 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of GaN nanorod diameter by changing growth temperature during molecular-beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Step-by-step change of growth temperature was investigated to control GaN nanorod diameter in the molecular-beam epitaxy. It was found that when the growth temperature is decreased, the GaN nanorod diameter gradually increases with the progress of lower temperature growth. On the contrary, opposite change of the diameter was observed when the growth temperature is increased during nanorod growth. The Ga adatom density on the GaN surface and the dissociation in the GaN nanorods play an important role on the shape variation of nanorods and we can control the diameter of GaN nanorods by regulating the growth temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 383, 15 November 2013, Pages 57-62
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 383, 15 November 2013, Pages 57-62
نویسندگان
H. Tambo, H. Asahi,