کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792648 | 1023653 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dual-temperature encapsulation of phosphorus in germanium δ‐layers toward ultra-shallow junctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have developed a dual-step encapsulation process for phosphorus in germanium δ-layers with initial low-temperature encapsulation to suppress dopant redistribution, followed by a higher temperature overgrowth to improve crystalline quality and electrical transport properties. Structural and electrical characterization shows that encapsulation of the δ-layer with a 2-nm-thick Ge layer deposited at 350 °C followed by Ge growth at 530 °C confines P donors into an atomically flat layer with limited dopant segregation, high carrier concentration and low resistivity. This doping method is promising for the fabrication of ultra-shallow junctions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 316, Issue 1, 1 February 2011, Pages 81–84
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 316, Issue 1, 1 February 2011, Pages 81–84
نویسندگان
G. Scappucci, G. Capellini, W.M. Klesse, M.Y. Simmons,