کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792808 | 1524478 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characteristics of annealed ZnO layer on 6H–SiC substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We studied the growth of ZnO layers on 6H−SiC substrates, focusing on the effects of annealing the ZnO layer, and the thickness of an annealed ZnO layer on a 6H–SiC substrate, on the properties of the layer. X-ray diffraction (XRD) measurements revealed c-axis-oriented growth of the ZnO layer on a 6H−SiC substrate. On annealing, the full width at half maximum (FWHM) of the XRD peaks decreased by a factor of about two and the island size became two times larger, regardless of the ZnO film thickness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issues 16–17, 1–15 August 2010, Pages 2393–2397
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issues 16–17, 1–15 August 2010, Pages 2393–2397
نویسندگان
Ju-Young Lee, Hong Seung Kim, Won-Jae Lee, Kap-Ryeol Ku,