کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792912 | 1023660 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Material characteristics of InGaN based light emitting diodes grown on porous Si substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
B3. Light emitting diodeA1. Atomic force microscopy - A1 میکروسکوپ نیروی اتمیA1. High resolution X-ray diffraction - A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالاA3. Metalorganic chemical vapor deposition - A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزاتB1. Nitride - B1 نیتریدB2. Semiconductor III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-V
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InGaN/GaN multiple quantum wells light emitting diodes (LEDs) with 2 μm thick crack-free GaN buffer layers were grown on porous Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The material properties of LEDs grown on porous Si were studied in comparison with LEDs grown on grid-patterned Si. The (101¯5) asymmetric reciprocal space mapping (RSM) results indicate that LEDs grown on porous Si have less lattice tilt or distortion than those grown on grid-patterned Si. Both RSM and micro-photoluminescence (micro-PL) measurements suggest that multiple quantum wells grown on porous Si are less stressed. Mechanisms behind this partial strain relaxation are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 315, Issue 1, 15 January 2011, Pages 238-241
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 315, Issue 1, 15 January 2011, Pages 238-241
نویسندگان
Dongmei Deng, Ching-Hsueh Chiu, Hao-Chung Kuo, Peng Chen, Kei May Lau,