کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793079 | 1023664 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Morphology and stress evolution of InAs QD grown and annealed in-situ at high temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The post growth annealing of InAs quantum dots (QDs) at relatively high temperature was investigated by an in-situ stress cantilever beam setup. For samples annealed at 500âC, stress accumulated during QD formation relaxes below the value which was built-up during wetting-layer growth. AFM images taken at different annealing stages reveal that QDs ripen first and then dissolve within 10Â min of annealing. These observations are explained by a combination of In desorption, especially at the beginning of annealing, and interdiffusion between Ga and In.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 3, 15 January 2010, Pages 447-451
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 3, 15 January 2010, Pages 447-451
نویسندگان
D.Z. Hu, A. Trampert, D.M. Schaadt,