کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793090 | 1524479 | 2010 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Complete HVPE experimental investigations: Cartography of SAG GaN towards quasi-substrates or nanostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Complete HVPE experimental investigations: Cartography of SAG GaN towards quasi-substrates or nanostructures Complete HVPE experimental investigations: Cartography of SAG GaN towards quasi-substrates or nanostructures](/preview/png/1793090.png)
چکیده انگلیسی
GaN structures have been grown by selective area growth (SAG) in an atmospheric hydride vapour phase epitaxy (HVPE) reactor on c-plane sapphire and metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) grown GaN/c-plane sapphire substrates. The substrates were patterned in two perpendicular crystallographic directions 〈1 1 −2 0〉 and 〈1 −1 0 0〉. The growth morphologies of the GaN stripes were systematically investigated by scanning electron microscopy (SEM). A complete cartography of GaN SAG was established, after varying the growth temperature and the V/III ratio on both types of substrate. The cartography permits to fix the appropriate parameters for growing GaN quasi-substrates or GaN nano-structures with controlled morphology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issues 12–13, 1 June 2010, Pages 1899–1907
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issues 12–13, 1 June 2010, Pages 1899–1907
نویسندگان
O. Chelda-Gourmala, A. Trassoudaine, Y. André, S. Bouchoule, E. Gil, J. Tourret, D. Castelluci, R. Cadoret,