کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793308 | 1023672 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-catalyzed growth of GaSb nanowires at low reaction temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thermal decomposition of Lewis acid–base adducts [t-Bu3Ga-Sbi-Pr3] (1) and [t-Bu3Ga]2[Sb2Et4] (2) in closed glass ampoules at temperatures between 250 and 350 °C yielded crystalline GaSb nanowires. Isolated GaSb nanowires were formed preferably at low decomposition temperatures, whereas dendritic-like growth was observed at higher decomposition temperatures. In addition, self-catalyzed growth of GaSb nanowires using 90 nm-sized Ga droplets, which were pre-deposited on Si(1 0 0) substrates, was achieved with the distibine Sb2Et4 at 250 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 9, 15 April 2010, Pages 1475–1480
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 9, 15 April 2010, Pages 1475–1480
نویسندگان
Stephan Schulz, Marcel Schwartz, Andreas Kuczkowski, Wilfried Assenmacher,