کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793367 | 1023673 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Misfit dislocations and adatom domain competitions in Cu/Ni (1 1¯ 1¯) heteroepitaxial growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Three-dimensional molecular dynamics simulations of Cu/Ni (1 1¯ 1¯) heteroepitaxy were carried out based on the Sutton–Chen EAM potential. It was found that the heteroepitaxial growth leads to the nucleation and competitive growth of FCC and HCP domains in the surface adatom monolayer, leading to a network of misfit dislocations along the domain boundaries. Analyses on surface diffusion energy barriers and energy differences between FCC and HCP domains provide explanations why such domain competition mechanisms and the associated misfit dislocations are expected to play a prevalent role in heteroepitaxial growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 9, 15 April 2009, Pages 2736–2741
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 9, 15 April 2009, Pages 2736–2741
نویسندگان
Naigen Zhou, Huajian Gao, Lang Zhou,