کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1793526 1023677 2010 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of a multiscale model for an atomic layer deposition process
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Development of a multiscale model for an atomic layer deposition process
چکیده انگلیسی

A multiscale model of atomic layer deposition (ALD) inside a nanoporous material is developed in this paper. The overall model couples a lattice Monte Carlo simulator describing molecular-scale growth of the ALD film to a continuum description of the precursor transport within the nanopore. The multiscale simulation approach is used to study how intra-pore precursor depletion leads to nonuniform ALD films and to examine whether film properties, such as composition and surface roughness, are functions of position within the pore.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 8, 1 April 2010, Pages 1449–1452
نویسندگان
,