کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793526 | 1023677 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of a multiscale model for an atomic layer deposition process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A multiscale model of atomic layer deposition (ALD) inside a nanoporous material is developed in this paper. The overall model couples a lattice Monte Carlo simulator describing molecular-scale growth of the ALD film to a continuum description of the precursor transport within the nanopore. The multiscale simulation approach is used to study how intra-pore precursor depletion leads to nonuniform ALD films and to examine whether film properties, such as composition and surface roughness, are functions of position within the pore.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 8, 1 April 2010, Pages 1449–1452
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 8, 1 April 2010, Pages 1449–1452
نویسندگان
Raymond A. Adomaitis,